首先為不了解“祖?zhèn)鳌狈Q呼的讀者介紹一下相關背景：2012年，緊隨首個手機/平板四核處理器NVIDIA Tegra 3，華為也推出了自己的四核產品K3V2，1.5GHz的頻率也超越了Tegra 3的初期產品，Vivante GC4000的多數理論指標也同樣領先。余承東當時在CES稱這款產品的性能“世界領先”。但實際塞到手機中后，用戶發(fā)現海思K3V2的發(fā)熱量大，實際運行頻率低導致應用卡頓，GPU不兼容多款游戲；并且一直到2014年，K3V2及其后續(xù)馬甲產品依然盤踞在多款華為手機中，被諸多網民戲稱為“祖?zhèn)鳌盋PU。
展開分析，K3V2被“祖?zhèn)鳌钡闹饕蛑饕腥?strong>其一是海思半導體長于整合，處理器集成度高，自己也能設計基帶、射頻、電源管理IC等多種必備元件，其中基帶水平處于世界領先地位；但CPU核心設計能力并不強，反觀蘋果、高通、NVIDIA都可以自己設計ARM兼容核心，海思只能拿ARM公版核心來用。說白了海思是一個搭積木的頂級高手，但只能用別人給的積木而不會創(chuàng)造新積木。其二，產品發(fā)布總是在CPU成熟期后段，即將轉入式微的時候。K3V2發(fā)布時是Cortex-A9成熟期，使用它的手機實際上市時Cortex-A9已經開始衰落，根本原因在于手機處理器性能進步速度太快。其三，受臺積電拖累，同時形勢判斷失誤。K3V2發(fā)布的12年臺積電主力工藝是40nm G制程，此后臺積電跳過32nm節(jié)點開始向28nm工藝過渡，海思認為K3V2的性能足以撐到自家28nm的產品上市，但28nm初期產能嚴重不足，產能被高通、NVIDIA、AMD霸占，直到13年底才輪到海思，一拖就是近兩年，此時28nm處理器市場早已經被高通和聯發(fā)科搶占殆盡。反觀三星旗下的處理器果斷先使用32nm節(jié)點工藝，Galaxy S III和Note 2立即壓制了市場上一眾40nm處理器的產品。
而在機師看來，新的麒麟920/925/928系列并沒有擺脫上述三點原因：首先，Kirin 92x使用ARM標準的Package：Cortex-A15/A7 Big.LITTLE組合外加ARM Mali-T628MP4 GPU，海思這次在搭積木優(yōu)化上可謂登峰造極，八核心同時開啟時性能著實一流。其次，其步伐和K3V2一樣保守，海思引入Cortex-A15是在這款核心成熟期發(fā)熱大大降低的情況下，遠不如首個使用A15+A7組合、敢于吃螃蟹的三星LSI。即使如此，海思對于Big.LITTLE功耗以及功耗/性能的平衡點把握也遠不如三星，評測可見麒麟920開足馬力后，整個平臺的功耗竟高達11W。此外，海思平臺平時應用根本使不出跑分時的表現，并且對于每個測試項目甚至包括瀏覽器都做了“優(yōu)化”，在諸多國外媒體看來屬于處處作弊，3DMark的開發(fā)商Futuremark還因此下架了Ascend P7的成績。而且Mali-T628MP4的測試成績在同代產品中只能屬于中上，這一點甚至不如當時K3V2中Vivante GC4000的地位。
最后一點依然和臺積電和形勢判斷有關，這次海思依然是從28nm跳過20nm節(jié)點，直接上16nm FinFET的產品，有所不同的是這次臺積電可以提供20nm工藝，但其產能也早已經被蘋果和高通瓜分完畢，根本輪不到第三家插足。海思也早已料到了這一點，提前和臺積電溝通開發(fā)16nm FinFET工藝的處理器。但業(yè)界普遍認為，臺積電16nm工藝的相關產品最早也要今年年底才能出工程樣品，2015年第二～第三季度才能批量出貨，實際使用該工藝處理器的手機上市或許要等到15年第四季度。業(yè)內傳聞，高通已經對臺積電16nm工藝信心不足，將在20nm的下一代產品使用三星14nm FinFET工藝，而三星14nm工藝的進度要快于臺積電16nm。
或許海思已經預料到這代28nm的性能不可能再像K3V2一樣再硬撐兩年，在Kirin 920上市沒幾個月后即推出了特挑體質的高頻版Kirin 925和928（玩過CPU和顯卡超頻的都知道這些馬甲是怎么回事）。但這些措施能阻擋“祖?zhèn)鳌盋PU再現的步伐嗎？半導體業(yè)內Intel和AMD，AMD和NVIDIA的撕逼大戰(zhàn)已經多次證明，推出超頻版馬甲的一方往往會敗于加速推出新品的一方，何況是性能進步、產品更新速度更快的手機界呢？
當斷不斷，反受其亂，麒麟92x會不會重蹈K3V2的覆轍？機師覺得，就看華為高管有沒有這個魄力了。
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